Température d'Utilisation (°C):

-40 to +75

Aire Actif (mm):

1 Dia.

Température de Stockage (°C):

-55 to +125

Réponse @ 1310nm (A/W):

0.85 minimum / 0.9 typical

Réponse @ 1550nm (A/W):

0.9 minimum / 0.95 typical

Temps de Montée/Descente @ V_R=5V (ns):

3 (typical)

Capacitance @ V_R=5V (pF):

25

Puissance de Bruit Équivalent NEP (W/ Hz^1/2):

1.20 x 10^-14 @ 1550nm

Tension Max. Inversée (V):

15

Connecteur:

TO-5

Courant d'Obscurité @ V_R=5V (nA):

Maximum: 15 Typical: 0.5

Espace de l'Élément (mm):

0.045

Conformité réglementaire

RoHS:

Conforme

Certificate of Conformance:

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Description commune pour les Produits de la même Famille

Quatre zones actives distinctes
Grande uniformité de réponse et faible diaphonie
Idéales pour la détection de position et l'alignement de faisceaux
Photodiodes Segmentées au Silicium et Photodiodes en InGaAs également disponibles

Les Photodiodes Segmentées en InGaAs présentent de grandes zones actives divisées en quatre éléments individuels. Les quatre éléments de ces photodiodes ont une grande uniformité de réponse et une faible diaphonie, ce qui permet de les utiliser dans des applications précises de correction de position ou de centrage. Ces photodiodes sont stables dans le temps et en température, offrant une réactivité de 900 à 1700 nm avec une excellente réactivité entre 1100 et 1620 nm. Les photodiodes InGaAs segmentées sont idéales pour les applications de détection de position, d'alignement de faisceau et de profilage de faisceau dans le spectre du proche infrarouge. Chaque photodiode est conditionnée dans un boîtier isolé TO-5 ou TO-8 avec une fenêtre traitée antireflet pour augmenter la transmission.

Photodiode Segmentée en InGaAs à Quatre Zones Actives, 1 mm de dia.

Conformité réglementaire

Description commune pour les Produits de la même Famille