Photodiode Segmentée en InGaAs à Quatre Zones Actives, 3 mm de dia.

Description commune pour les Produits de la même Famille

• Quatre zones actives distinctes
• Grande uniformité de réponse et faible diaphonie
• Idéales pour la détection de position et l'alignement de faisceaux
• Photodiodes Segmentées au Silicium et Photodiodes en InGaAs également disponibles

Les Photodiodes Segmentées en InGaAs présentent de grandes zones actives divisées en quatre éléments individuels. Les quatre éléments de ces photodiodes ont une grande uniformité de réponse et une faible diaphonie, ce qui permet de les utiliser dans des applications précises de correction de position ou de centrage. Ces photodiodes sont stables dans le temps et en température, offrant une réactivité de 900 à 1700 nm avec une excellente réactivité entre 1100 et 1620 nm. Les photodiodes InGaAs segmentées sont idéales pour les applications de détection de position, d'alignement de faisceau et de profilage de faisceau dans le spectre du proche infrarouge. Chaque photodiode est conditionnée dans un boîtier isolé TO-5 ou TO-8 avec une fenêtre traitée antireflet pour augmenter la transmission.